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SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix Bâti extérieur IC PowerPAK SO-8 de comité technique du comité technique 83W du N-canal 100 V 42A
| Lieu d'origine | Les Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | Vishay |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | SQJ488EP-T2_GE3 |
| Quantité de commande min | 3000 PCs |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 3000 PCS/Tape |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 15K PCS |
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xDétails sur le produit
| Fabricant | Vishay Siliconix | Catégorie | FETs simples, transistors MOSFET |
|---|---|---|---|
| Nombre de produit | SQJ488EP-T2_GE3 | Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 100 V | Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 42A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 21mOhm @ 7.1A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA | Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 83W (comité technique) | Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Paquet de dispositif de fournisseur | PowerPAK® SO-8 | Montage du type | Bâti extérieur |
| Surligner | SQJ488EP-T2_GE3,Bâti extérieur IC |
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Description de produit
SQJ488EP-T2_GE3 bâti PowerPAK® SO-8 de la surface 83W (comité technique) du N-canal 100 V 42A (comité technique)
Fiche technique : SQJ488EP-T2_GE3
| Catégorie | FETs simples, transistors MOSFET |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | Des véhicules à moteur, AEC-Q101, ® de TrenchFET |
| Statut de produit | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 100 V |
| Actuel - 掳 25 C continu du drain (identification) @ | 42A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 21mOhm @ 7.1A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 27 OR @ 10 V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 978 PF @ 50 V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 83W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | ® SO-8 de PowerPAK |
| Paquet/cas | ® SO-8 de PowerPAK |
CARACTÉRISTIQUES • Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET® • AEC-Q101 a qualifié d • 100 % Rg et UIS a examiné • Catégorisation matérielle : pour des définitions de conformité voir svp le http://www.vishay.com/doc?99912
Notes
a. Paquet limité
b. Essai d'impulsion ; μs du 300 de durée d'impulsion, 2 % de coefficient d'utilisation
c. Une fois monté sur 1" carte PCB de place (matériel FR-4)
d. Vérification paramétrique en cours
e. Voir le profil de soudure (www.vishay.com/doc?73257). Le PowerPAK SO-8L est un paquet sans plomb. L'extrémité du terminal d'avance est de cuivre exposé (non plaqué) en raison du processus de singulation à la fabrication. Un filet de soudure à l'astuce de cuivre exposée ne peut pas être garanti et n'est pas exigé pour assurer à interconnexion latérale inférieure appropriée de soudure
f. États de reprise : la soudure manuelle avec un fer à souder n'est pas recommandée pour les composants sans plomb
Image de données :
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