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FOSSÉ composant 100V de l'électronique de transistor de diode de semi-conducteur d'IPB0401NM5S
Nombre de produit: | IPB0401NM5S |
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Fabricant: | Infineon Technologies |
Catégorie: | FETs simples, transistors MOSFET |
Produits semiconducteurs discrets IGBT TNP 600V 6 de FGD3N60UNDF 60W un bâti extérieur TO-252AA
Fabricant: | onsemi |
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Catégorie: | IGBTs simple |
Nombre de produit: | FGD3N60UNDF |
Bâti extérieur SuperSOT™-6 de la rangée IC 25V 680mA 460mA 700mW de transistor MOSFET de puissance de FDC6321C
Fabricant: | onsemi |
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Catégorie: | Le FET, transistor MOSFET range |
Nombre de produit: | FDC6321C |
Comité technique DirectFET de C.A. 96W du N-canal 40V 217 de transistor de diode de résistance d'IRF7480MTRPBF isométrique JE
Catégorie: | FETs simples, transistors MOSFET |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Série: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H
Catégorie: | FETs simples, transistors MOSFET |
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Mfr: | onsemi |
Type de FET: | P-canal |
Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA
Catégorie: | FETs simples, transistors MOSFET |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Série: | Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Trou PG-TO247-4-1 de comité technique Hrough du comité technique 115W de la diode 1200 V 26A de transistor MOSFET de la Manche d'IMZ120R090M1H INFINEON N
Catégorie: | FETs simples, transistors MOSFET |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Série: | CoolSiC |
Comité technique 277.8W PG-TO220-3 du niveau N 650V 31.2A de logique de transistor MOSFET de la Manche de la puissance élevée N d'IPP65R110CFDA
Catégorie: | FETs simples, transistors MOSFET |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Série: | Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Bâti extérieur 8-SOIC d'IC 100V 4.5A 2.5W de rangée de transistor MOSFET de la Manche de FDS3992 N
Fabricant: | onsemi |
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Catégorie: | Le FET, transistor MOSFET range |
Nombre de produit: | FDS3992 |
Transistor bipolaire 450 V 30 A 200 W de diode de BUF420AW BJT NPN par le trou TO-247-3
Catégorie: | Transistors bipolaires - BJT |
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Mfr: | STMicroelectronics |
Type de transistor: | NPN |