• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
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  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
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Chine FOSSÉ composant 100V de l'électronique de transistor de diode de semi-conducteur d'IPB0401NM5S

FOSSÉ composant 100V de l'électronique de transistor de diode de semi-conducteur d'IPB0401NM5S

Nombre de produit: IPB0401NM5S
Fabricant: Infineon Technologies
Catégorie: FETs simples, transistors MOSFET
Chine Produits semiconducteurs discrets IGBT TNP 600V 6 de FGD3N60UNDF 60W un bâti extérieur TO-252AA

Produits semiconducteurs discrets IGBT TNP 600V 6 de FGD3N60UNDF 60W un bâti extérieur TO-252AA

Fabricant: onsemi
Catégorie: IGBTs simple
Nombre de produit: FGD3N60UNDF
Chine Bâti extérieur SuperSOT™-6 de la rangée IC 25V 680mA 460mA 700mW de transistor MOSFET de puissance de FDC6321C

Bâti extérieur SuperSOT™-6 de la rangée IC 25V 680mA 460mA 700mW de transistor MOSFET de puissance de FDC6321C

Fabricant: onsemi
Catégorie: Le FET, transistor MOSFET range
Nombre de produit: FDC6321C
Chine Comité technique DirectFET de C.A. 96W du N-canal 40V 217 de transistor de diode de résistance d'IRF7480MTRPBF isométrique JE

Comité technique DirectFET de C.A. 96W du N-canal 40V 217 de transistor de diode de résistance d'IRF7480MTRPBF isométrique JE

Catégorie: FETs simples, transistors MOSFET
Mfr: Infineon Technologies
Série: HEXFET®, StrongIRFET™
Chine Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H

Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H

Catégorie: FETs simples, transistors MOSFET
Mfr: onsemi
Type de FET: P-canal
Chine Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA

Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA

Catégorie: FETs simples, transistors MOSFET
Mfr: Infineon Technologies
Série: Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS™
Chine Trou PG-TO247-4-1 de comité technique Hrough du comité technique 115W de la diode 1200 V 26A de transistor MOSFET de la Manche d'IMZ120R090M1H INFINEON N

Trou PG-TO247-4-1 de comité technique Hrough du comité technique 115W de la diode 1200 V 26A de transistor MOSFET de la Manche d'IMZ120R090M1H INFINEON N

Catégorie: FETs simples, transistors MOSFET
Mfr: Infineon Technologies
Série: CoolSiC
Chine Comité technique 277.8W PG-TO220-3 du niveau N 650V 31.2A de logique de transistor MOSFET de la Manche de la puissance élevée N d'IPP65R110CFDA

Comité technique 277.8W PG-TO220-3 du niveau N 650V 31.2A de logique de transistor MOSFET de la Manche de la puissance élevée N d'IPP65R110CFDA

Catégorie: FETs simples, transistors MOSFET
Mfr: Infineon Technologies
Série: Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS™
Chine Bâti extérieur 8-SOIC d'IC 100V 4.5A 2.5W de rangée de transistor MOSFET de la Manche de FDS3992 N

Bâti extérieur 8-SOIC d'IC 100V 4.5A 2.5W de rangée de transistor MOSFET de la Manche de FDS3992 N

Fabricant: onsemi
Catégorie: Le FET, transistor MOSFET range
Nombre de produit: FDS3992
Chine Transistor bipolaire 450 V 30 A 200 W de diode de BUF420AW BJT NPN par le trou TO-247-3

Transistor bipolaire 450 V 30 A 200 W de diode de BUF420AW BJT NPN par le trou TO-247-3

Catégorie: Transistors bipolaires - BJT
Mfr: STMicroelectronics
Type de transistor: NPN
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