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STM32H743ZGT6 microcontrôleur IC 480MHz à un noyau à 32 bits 144-LQFP INSTANTANÉ 20x20 de 1MB 1M x 8 du BRAS Cortex-M7 STM32H7)
| Lieu d'origine | Les Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | STMicroelectronics |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | STM32H743ZGT6 |
| Quantité de commande min | 360 PCS |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 360 PCS/Tape |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 1440K PCS |
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xDétails sur le produit
| Fabricant | STMicroelectronics | Catégorie | Microcontrôleurs |
|---|---|---|---|
| Nombre de produit | STM32H743ZGT6 | Série | STM32H7 |
| Statut de produit | Actif | Processeur de noyau | ARM® Cortex®-M7 |
| Capacité de mémoire | à un noyau à 32 bits | Vitesse | 480MHz |
| Connectivité | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, ² C, IrDA, LINbus, MDIO, MMC/SD/SDIO, QSPI, SAI, SPDIF, SPI, SWPMI, UART/ | Périphériques | L'arrêt partiel détectent/remises, DMA, le ² S, l'affichage à cristaux liquides, POR, PWM, WDT d'I |
| Nombre d'entrée-sortie | 114 | Capacité de la mémoire de programme | 1MB (1M x 8) |
| Type de mémoire de programme | ÉCLAIR | RAM Size | 1M x 8 |
| Tension - approvisionnement (Vcc/Vdd) | 1.62V | 3.6V | Convertisseurs de données | A/D 36x16b ; D/A 2x12b |
| Type d'oscillateur | Interne | Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (VENTRES) |
| Montage du type | Bâti extérieur | Paquet/cas | 144-LQFP |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 144-LQFP (20x20) | ||
| Surligner | STM32H743ZGT6,microcontrôleur IC à 32 bits,fiche technique stm32h743zgt6 |
||
Description de produit
Microcontrôleur de STM32H743ZGT6 ARM® Cortex®-M7 STM32H7 IC 480MHz à un noyau à 32 bits 1MB (1M x 8) 144-LQFP INSTANTANÉ (20x20)
Fiche technique : STM32H743ZGT6
| Catégorie | Microcontrôleurs |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Série | STM32H7 |
| Paquet | Plateau |
| Statut de produit | Actif |
| Capacité de mémoire | à un noyau à 32 bits |
| Vitesse | 480MHz |
| Nombre d'entrée-sortie | 114 |
| Capacité de la mémoire de programme | 1MB (1M x 8) |
| Type de mémoire de programme | ÉCLAIR |
| RAM Size | 1M x 8 |
| Tension - approvisionnement (Vcc/Vdd) | 1.62V | 3.6V |
| Convertisseurs de données | A/D 36x16b ; D/A 2x12b |
| Type d'oscillateur | Interne |
| Température de fonctionnement | - 40°C | 85°C (VENTRES) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | 144-LQFP |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 144-LQFP (20x20) |
| Nombre bas de produit | STM32H743 |
Souvenirs
•Jusqu'à 2 Moctets de mémoire instantanée avec readwhile-écrivent l'appui
• Jusqu'à 1 Moctet de RAM : 192 K bytes de TCM RAM (inc. 64 K bytes d'ITCM RAM + 128 K bytes de DTCM RAM pour des routines critiques de temps), jusqu'à 864 K bytes d'utilisateur SRAM, et 4 K bytes de SRAM dans le domaine de secours
• Interface double mode de mémoire de Quadruple-SPI courant jusqu'à 133 mégahertz
• Contrôleur externe flexible de mémoire avec jusqu'à le bus de données à 32 bits : SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, mémoire instantanée de NOR/NAND a synchronisé jusqu'à 100 mégahertz en mode synchrone
• Unité de calcul de centre de détection et de contrôle
Gestion de remise et de puissance
• 3 domaines distincts de puissance qui peuvent horloge-être indépendamment déclenchés ou commutés :
– D1 : capacités performantes
– D2 : périphériques et minuteries de communication
– D3 : contrôle remis à zéro/horloge/gestion de puissance
• approvisionnement d'application de 1,62 à 3,6 V et I/Os
• POR, PDR, PVD et BOR
• Puissance consacrée d'USB enfonçant un régulateur interne de 3,3 V pour fournir le PHYs interne
• Régulateur incorporé (LDO) avec la sortie extensible configurable pour fournir les circuits numériques
• Graduation de tension en mode de course et d'arrêt (6 gammes configurables)
• Régulateur de secours (~0,9 V)
• Référence de tension pour peripheral/VREF+ analogue
• Modes de basse puissance : Sommeil, arrêt, remplaçant et consommation de basse puissance de soutien de chargement de batterie de VBAT
• Mode opérationnel de batterie de VBAT avec la capacité de remplissage
• État de puissance d'unité centrale de traitement et de domaine surveillant des goupilles
• µA 2,95 dans le mode veille (SRAM de secours, RTC/LSE DESSUS)
Image de données :
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