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Mémoire parallèle IC Chip Manufacturers 64Kbit 120 NS 28-SOIC d'AT28HC64BF-12SU EEPROM

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xCatégorie | Mémoire | Mfr | Technologie de puce |
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Paquet | Tube | Type de mémoire | Non-volatile |
Format de mémoire | EEPROM | Technologie | EEPROM |
Capacité de la mémoire | 64Kbit | Organisation de mémoire | 8K X 8 |
Interface de mémoire | Parallèle | Temps d'accès | 120 NS |
Tension - approvisionnement | 4.5V | 5.5V | Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) |
Surligner | AT28HC64BF-12SU IC 64Kbit 28-SOIC,IC 64Kbit 28-SOIC AT28HC64BF-12SU,IC 28-SOIC 64Kbit AT28HC64BF-12SU |
Mémoire IC 64Kbit 120 parallèles NS 28-SOIC d'AT28HC64BF-12SU EEPROM
Description :
L'AT28HC64BF est une mémoire microprogrammable électrique-effaçable et performante (EEPROM).
Son 64K de mémoire est organisé en tant que 8 192 mots par 8 bits. Construit avec le CMOS non-volatile avancé d'Atmel
la technologie, le dispositif offre des temps d'accès à 55 NS avec la dissipation de puissance juste de 220 mW. Quand le dispositif est
ne pas sélectionner, le courant de réserve de CMOS est moins de µA 100.
Détail rapide :
Fabricant
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Technologie de puce
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Fabricant Product Number
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AT28HC64BF-12SU
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Fabricant Standard Lead Time
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52 semaines
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Description détaillée
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Mémoire IC 64Kbit 120 parallèles NS 28-SOIC d'EEPROM
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Attributs de produit :
TYPE
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DESCRIPTION
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Catégorie
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Mémoire
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Mfr
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Technologie de puce
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Paquet
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Tube
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Statut de produit
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Actif
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Type de mémoire
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Non-volatile
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Format de mémoire
|
EEPROM
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Technologie
|
EEPROM
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Capacité de la mémoire
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64Kbit
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Organisation de mémoire
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8K X 8
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Interface de mémoire
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Parallèle
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Écrivez la durée de cycle - Word, page
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10ms
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Temps d'accès
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120 NS
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Tension - approvisionnement
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4.5V | 5.5V
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Température de fonctionnement
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-40°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet/cas
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28-SOIC (0,295", largeur de 7.50mm)
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Paquet de dispositif de fournisseur
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28-SOIC
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Nombre bas de produit
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AT28HC64
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Ressources additionnelles :
ATTRIBUT | DESCRIPTION |
D'autres noms | AT28HC64BF12SU |
Forfait standard | 27 |
Caractéristiques
• Temps rapide d'accès en lecture – 70 NS
• La page automatique écrivent l'opération – adresse interne et verrous de données pour 64 octets
• Écrivez rapidement les durées de cycle
– La page écrivent la durée de cycle : 2 Mme maximum (norme)
– la page de 1 à 64 octets écrivent l'opération
• Dissipation de puissance faible
– courant actif de 40 mA
– courant de réserve de 100 µA CMOS
• Protection des données de matériel et de logiciel
• Le vote de DONNÉES et le peu à bascule pour la fin de écrivent la détection
• Technologie élevée de la fiabilité CMOS
– Résistance : 100 000 cycles
– Conservation de données : 10 ans
• 5 approvisionnement simple de V ±10%
• Entrées et sorties compatibles de CMOS et de TTL
• JEDEC a approuvé Pinout d'un octet
• Températures ambiantes industrielles
• Emballage du vert (Pb/Halide-free) seulement
Image de données :