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Bâti extérieur discret TO-263AB de la diode de semi-conducteur de SCS212AJTLL ROHM 650 V 12A
| Lieu d'origine | Le Japon |
|---|---|
| Nom de marque | Rohm Semiconductor |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | SCS212AJTLL |
| Quantité de commande min | 1000 PCs |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 1000 PCS/Tape |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 3K PCS |
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xDétails sur le produit
| Nombre de produit | SCS212AJTLL | Fabricant | Semi-conducteur de Rohm |
|---|---|---|---|
| Technologie | Sic (carbure de silicium) Schottky | Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) | 650 V |
| Actuel - moyenne rectifiée (E/S) | 12A | Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si | 1,55 V @ 12 A |
| Vitesse | Aucun temps de rétablissement > 500mA (E/S) | Temps de rétablissement inverse (trr) | 0 ns |
| Actuel - fuite inverse @ Vr | µA 240 @ 600 V | Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB | Température de fonctionnement - jonction | 175°C (maximum) |
| Surligner | SCS212AJTLL,Semi-conducteur de SCS212AJTLL ROHM,Produits semiconducteurs discrets |
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Description de produit
Bâti extérieur TO-263AB de la diode 650 V 12A de SCS212AJTLL
Fiche technique : SCS212AJTLL
| Catégorie | Diodes simples |
| Mfr | Semi-conducteur de Rohm |
| Statut de produit | Actif |
| Technologie | Sic (carbure de silicium) Schottky |
| Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum) | 650 V |
| Actuel - moyenne rectifiée (E/S) | 12A |
| Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si | 1,55 V @ 12 A |
| Vitesse | Aucun temps de rétablissement > 500mA (E/S) |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 0 NS |
| Actuel - fuite inverse @ Vr | µA 240 @ 600 V |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-263AB |
| Température de fonctionnement - jonction | °C 175 (maximum) |
| Nombre bas de produit | SCS212 |
CARACTÉRISTIQUES :
Un temps de rétablissement plus court de ・
Le ・ a réduit la dépendance de la température
Commutation ultra-rapide de ・ possible
Applications
・ PFC amplifier la topologie
Rectification latérale secondaire de ・
・ Data Center
Conditionneurs de puissance de picovolte de ・
DataPicture : https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/sbd/scs212aj-e.pdf
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