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Mémoire instantanée EEPROM 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN IC 20 mégahertz 8-SOIC
| Lieu d'origine | L'Amérique |
|---|---|
| Nom de marque | MICROCHIP |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | 25LC512T-I/SN |
| Quantité de commande min | 3300 PCS |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 3300 PCS/Tape |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 6K PCS |
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xDétails sur le produit
| Catégorie | Mémoire | Mfr | Technologie de puce |
|---|---|---|---|
| Paquet | Bande et bande de la bobine (TR) /Cut (CT) | Type de mémoire | Non-volatile |
| Format de mémoire | EEPROM | Technologie | EEPROM |
| Capacité de la mémoire | 512Kbit | Organisation de mémoire | 64K X 8 |
| Interface de mémoire | SPI | Fréquence du signal d'horloge | 20 mégahertz |
| Tension - approvisionnement | 2.5V | 5.5V | Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (VENTRES) |
| Surligner | eeprom instantané d'IC,MÉMOIRE INSTANTANÉE D'IC,fiche technique 25lc512t-i/sn |
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Description de produit
Mémoire IC 512Kbit SPI de 25LC512T-I/SN EEPROM 20 mégahertz 8-SOIC
Description :
Microchip Technology Inc. 25LC512 est 512 une mémoire périodique de Kbit EEPROM avec niveau de l'octet et niveau de la page
fonctions périodiques d'EEPROM. Il des fonctions comporte également de page, de secteur et de puce effacement typiquement liées à basé sur éclair
produits. Ces fonctions ne sont pas exigées pour l'octet ou la page écrivent des opérations. La mémoire est accédée par l'intermédiaire d'une publication périodique simple
Autobus périodique compatible périphérique d'interface (SPI). Les signaux d'autobus exigés sont une entrée d'horloge (SCK) plus des données distinctes dans (le SI)
et de données lignes (AINSI). Access au dispositif est commandé par une entrée de Chip Select (CS).
Détail rapide :
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Fabricant
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Technologie de puce
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Fabricant Product Number
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25LC512T-I/SN
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Description
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IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
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Description détaillée
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Mémoire IC 512Kbit SPI d'EEPROM 20 mégahertz 8-SOIC
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Attributs de produit :
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TYPE
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DESCRIPTION
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Catégorie
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Mémoire
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Mfr
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Technologie de puce
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Statut de produit
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Actif
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Digi-clé programmable
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Vérifié
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Type de mémoire
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Non-volatile
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Format de mémoire
|
EEPROM
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Technologie
|
EEPROM
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Capacité de la mémoire
|
512Kbit
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Organisation de mémoire
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64K X 8
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Interface de mémoire
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SPI
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Fréquence du signal d'horloge
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20 mégahertz
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Écrivez la durée de cycle - Word, page
|
5ms
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Tension - approvisionnement
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2.5V | 5.5V
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Température de fonctionnement
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-40°C | 85°C (VENTRES)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet/cas
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8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
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Paquet de dispositif de fournisseur
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8-SOIC
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Nombre bas de produit
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25LC512
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Ressources additionnelles :
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| D'autres noms |
25LC512TISN
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25LC512T-I/SNDKR
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25LC512T-I/SNTR
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25LC512T-I/SNCT
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| Forfait standard | 3300 |
Caractéristiques
• 20 mégahertz de fréquence d'horloge maximale
• L'octet et niveau de la page écrivent des opérations :
- page 128-byte
- maximum de 5 Mme.
- Aucun effacement de page ou de secteur n'a exigé
• Technologie de basse puissance de CMOS :
- Max. Write Current : 5 mA à 5.5V, 20 mégahertz
- Actuel lu : 10 mA à 5.5V, 20 mégahertz
- Courant de réserve : 1 A à 2.5V (powerdown profond)
• Signature électronique pour l'identification de dispositif
• Effacement Auto-synchronisé et écrire des cycles :
- Effacement de page (Mme 5, typiques)
- Effacement de secteur (10 ms/sector, typiques)
- Effacement en vrac (Mme 10, typiques)
• Le secteur écrivent la protection (octet 16K/secteur) :
- N'en protégez aucune, 1/4, 1/2 ou toute la rangée
• L'élément écrivent la protection :
- Circuits de protection des données de sous tension/hors tension
- Write permettre le verrou
- Goupille de protection contre l'écriture
• Fiabilité élevée :
- Résistance : 1 million s'efface/pour écrire des cycles
- Conservation de données : années >200
- Protection d'ESD : >4000V
• Les températures ambiantes ont soutenu :
- (i) industriel : -40°C à +85°C
- (e) prolongé : -40°C à +125°C
• RoHS conforme
• AEC-Q100 des véhicules à moteur a qualifié
Image de données :
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