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STPSC10H065BY-TR Diode extérieure 650 V 10A DPAK de bâti de diode de Smd
| Fabricant: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Catégorie: | Diodes simples |
| Nombre de produit: | STPSC10H065BY-TR |
Bâti extérieur TO-252AA de comité technique du comité technique 52W du circuit 800V 4A de transistor MOSFET de la Manche du FET N de FCD1300N80Z
| Fabricant: | onsemi |
|---|---|
| Catégorie: | FETs simples, transistors MOSFET |
| Nombre de produit: | FCD1300N80Z |
Comité technique du comité technique 294W du transistor MOSFET IC 40 V 195A de la Manche d'IRFB7434PBF N par le trou TO-220AB
| Catégorie: | FETs simples, transistors MOSFET |
|---|---|
| Mfr: | Infineon Technologies |
| Série: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Arrêt de champ de fossé du semi-conducteur IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W
| Catégorie: | IGBTs simple |
|---|---|
| Mfr: | Semi-conducteur de Rohm |
| Paquet: | Tube |