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Comité technique du comité technique 294W du transistor MOSFET IC 40 V 195A de la Manche d'IRFB7434PBF N par le trou TO-220AB

Lieu d'origine Les Etats-Unis
Nom de marque Infineon Technologies
Certification RoHS
Numéro de modèle IRFB7434PBF
Quantité de commande min 50 PCS
Prix Negotiable
Détails d'emballage 50 PCS/Tube
Délai de livraison 2 ou 3 jours
Conditions de paiement L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement 20K PCS

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Détails sur le produit
Catégorie FETs simples, transistors MOSFET Mfr Infineon Technologies
Série HEXFET®, StrongIRFET™ Statut de produit Actif
Type de FET N-canal Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 40V Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 195A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 3.9V @ 250µA Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 324 OR @ 10 V
Vgs (maximum) ±20V Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 10820 PF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximum) 294W (comité technique) Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)
Montage du type Par le trou Paquet de dispositif de fournisseur TO-220AB
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niveau de logique de canal du transistor MOSFET n

,

Transistor MOSFET IC de la Manche de N

,

au transistor MOSFET 220ab

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Description de produit

N-canal 40 V 195A (comité technique) 294W (comité technique) d'IRFB7434PBF par le trou TO-220AB

 

Caractéristiques :

Catégorie FETs simples, transistors MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Statut de produit Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 40 V
Actuel -°C 25 continu du drain (identification) @ 195A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ µA 3.9V @ 250
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 324 OR @ 10 V
Vgs (maximum) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 10820 PF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximum) 294W (comité technique)
Température de fonctionnement -55°C |°C 175 (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur TO-220AB
Paquet/cas TO-220-3

Ressources additionnelles

ATTRIBUT DESCRIPTION
D'autres noms SP001575514
  2156-IRFB7434PBF
  IFEINFIRFB7434PBF
Forfait standard 50

Image de données : https://www.infineon.com/dgdl/irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55

 

 

 

Comité technique du comité technique 294W du transistor MOSFET IC 40 V 195A de la Manche d'IRFB7434PBF N par le trou TO-220AB 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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