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Arrêt de champ de fossé du semi-conducteur IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W
| Lieu d'origine | Le Japon |
|---|---|
| Nom de marque | ROHM |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | RGS80TSX2DHRC11 |
| Quantité de commande min | 30 PCS |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 30 PCS/Tube |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 6K PCS |
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xDétails sur le produit
| Catégorie | IGBTs simple | Mfr | Semi-conducteur de Rohm |
|---|---|---|---|
| Paquet | Tube | Type d'IGBT | Arrêt de champ de tranchée |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 1200V | Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 80 A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 120 A | Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.1V @ 15V, 40A |
| Puissance - maximum | 555 W | Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 104 OR | Condition d'essai | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 198 NS | Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C |
| Montage du type | Par le trou | Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247N |
| Surligner | RGS80TSX2DHRC11,arrêt de champ de fossé d'IGBT,rohm de to-247n |
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Description de produit
Arrêt de champ de fossé de RGS80TSX2DHRC11 IGBT 1200 V 80 A 555 W par le trou TO-247N
Caractéristiques :
●Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
●Temps 10μs de tenue de court-circuit
●Qualifié à AEC-Q101
●Construit dans la récupération rapide et douce même FRD
●Pb - électrodéposition libre d'avance ; RoHS conforme
Description :
Fossé IGBTs des véhicules à moteur d'arrêt de champ de RGS
Le fossé IGBTs des véhicules à moteur d'arrêt de gisement du semi-conducteur RGS de ROHM sont AEC-Q101 IGBTs des véhicules à moteur évalué cela
sont en 1200 les variantes V et 650V disponibles. Ces IGBTs fournissent la classe-principale basse perte de conduction qui contribue
à réduire la taille et à améliorer l'efficacité des applications. Les RGS IGBTs utilisent la fossé-porte originale et
technologies de mince-gaufrette. Ces technologies aident à réaliser la basse tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE (s'est reposé)) avec
pertes de changement réduites. Ces IGBTs fournissent les économies d'énergie accrues dans un grand choix d'à haute tension et d'à forte intensité
applications.
Détail rapide :
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Fabricant
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Semi-conducteur de Rohm
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Fabricant Product Number
|
RGS80TSX2DHRC11
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Description
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FOSSÉ FLD 1200V 80A TO247N d'IGBT
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Description détaillée
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Arrêt de champ de fossé d'IGBT 1200 V 80 A 555 W par le trou TO-247N
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Attributs de produit :
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TYPE
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DESCRIPTION
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Catégorie
|
IGBTs simple
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|
Mfr
|
Semi-conducteur de Rohm
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Statut de produit
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Actif
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Type d'IGBT
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Arrêt de champ de fossé
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Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)
|
1200 V
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Actuel - collecteur (IC) (maximum)
|
80 A
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Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées)
|
120 A
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Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC
|
2.1V @ 15V, 40A
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Puissance - maximum
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555 W
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Énergie de changement
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3mJ (dessus), 3.1mJ ()
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Type d'entrée
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Norme
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Charge de porte
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104 OR
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Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C
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49ns/199ns
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Condition d'essai
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600V, 40A, 10Ohm, 15V
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Temps de rétablissement inverse (trr)
|
198 NS
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Température de fonctionnement
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-40°C | 175°C (TJ)
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Montage du type
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Par le trou
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Paquet/cas
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TO-247-3
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-247N
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Nombre bas de produit
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RGS80
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Ressources additionnelles :
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| D'autres noms | 846-RGS80TSX2DHRC11 |
| Forfait standard | 30 |
Image de données : https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/igbt/rgs80tsx2dhr-e.pdf
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