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Comité technique PG-TO220-3 du comité technique 277.8W du N-canal 650 V 31.2A de transistor et de thyristor de diode d'IPP65R110CFDA
| Lieu d'origine | Les Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | Infineon Technologies |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | BUF420AW |
| Quantité de commande min | 50 PCS |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 50 PCS/Tube |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 6K PCS |
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xDétails sur le produit
| Catégorie | FETs simples, transistors MOSFET | Mfr | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Série | Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS™ | Statut de produit | Actif |
| Type de FET | N-canal | Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 650 V | Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 31.2A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4.5V @ 1.3mA | Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 118 OR @ 10 V |
| Vgs (maximum) | ±20V | Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3240 PF @ 100 V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 277.8W (comité technique) | Température de fonctionnement | -40°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou | Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO220-3 |
| Paquet/cas | TO-220-3 | Nombre bas de produit | IPP65R110 |
| Surligner | Diodes 650 V 31,2 A Tc 277,8 W IPP65R110CFDA |
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Description de produit
N-canal 650 V 31.2A (comité technique) 277.8W (comité technique) d'IPP65R110CFDA par le trou PG-TO220-3
Caractéristiques :
| Catégorie | FETs simples, transistors MOSFET |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Série | Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS |
| Statut de produit | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 650 V |
| Actuel - ツー 25 C continu du drain (identification) @ | 31.2A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4.5V @ 1.3mA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 118 OR @ 10 V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3240 PF @ 100 V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 277.8W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -40°C |°C 150 (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO220-3 |
| Paquet/cas | TO-220-3 |
| Nombre bas de produit | IPP65R110 |
Ressources additionnelles
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| D'autres noms | IPP65R110CFDAAKSA1-ND |
| 448-IPP65R110CFDAAKSA1 | |
| SP000895234 | |
| Forfait standard | 50 |
Image de données : https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
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