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Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H

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xCatégorie | FETs simples, transistors MOSFET | Mfr | onsemi |
---|---|---|---|
Type de FET | P-canal | Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60 V | Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 55A (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 16mOhm @ 28A, 10V |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 92 OR @ 10 V | Vgs (maximum) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 4000 PF @ 20 V | Dissipation de puissance (maximum) | 60W (comité technique) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | ATPAK | Paquet/cas | ATPAK (2 Leads+Tab) |
Surligner | Mosfets canal P 60 V 55A Ta 60W Tc ATP114-TL-H,Mosfets canal P 60 V Ta 60 W Tc ATP114-TL-H,Mosfets canal P 60 V Ta 60 W ATP114-TL-H |
ATP114-TL-H Canal P 60 V 55 A (Ta) 60 W (Tc) Montage en surface ATPAK
Caractéristiques:ATP114-TL-H
Catégorie | FET simples, MOSFET |
Fabricant | onsemi |
Type FET | Canal P |
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
Tension drain à source (Vdss) | 60V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhms à 28 A, 10 V |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC à 10 V |
Vg (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF à 20 V |
Dissipation de puissance (maximale) | 60W (TC) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Montage en surface |
Ensemble d'appareils du fournisseur | ATPAK |
Paquet/caisse | ATPAK (2 fils + onglet) |
Numéro de produit de base | ATP114 |
Ressources additionnelles
ATTRIBUT | DESCRIPTION |
Autres noms | ATP114-TL-HOSDKR |
ATP114-TL-HOSTR | |
ATP114-TL-H-ND | |
ATP114-TL-HOSCT | |
Forfait Standard | 3000 |
Image de données :https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf
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