• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Monsieur Patrick
    Réponse rapide et compréhension complète des besoins des clients, bonne attitude de service, nous sommes d'accord avec votre service.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    M. Harrison
    Une attitude de service sérieuse, ainsi que des produits de haute qualité méritent la confiance de tous.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Anna
    C'est un achat parfait. La capacité de votre société d'offrir des prix concurrentiels et des produits de qualité est très impressionnante.
Personne à contacter : will
Numéro de téléphone : 13418952874

Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H

Lieu d'origine Les Etats-Unis
Nom de marque onsemi
Certification RoHS
Numéro de modèle ATP114-TL-H
Quantité de commande min 1000 PCs
Prix Negotiable
Détails d'emballage 1000 PCS/Tube
Délai de livraison 2 ou 3 jours
Conditions de paiement L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement 3K PCS

Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.

Whatsapp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.

x
Détails sur le produit
Catégorie FETs simples, transistors MOSFET Mfr onsemi
Type de FET P-canal Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60 V Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 55A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 16mOhm @ 28A, 10V
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 92 OR @ 10 V Vgs (maximum) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 4000 PF @ 20 V Dissipation de puissance (maximum) 60W (comité technique)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur ATPAK Paquet/cas ATPAK (2 Leads+Tab)
Surligner

Mosfets canal P 60 V 55A Ta 60W Tc ATP114-TL-H

,

Mosfets canal P 60 V Ta 60 W Tc ATP114-TL-H

,

Mosfets canal P 60 V Ta 60 W ATP114-TL-H

Laisser un message
Description de produit

ATP114-TL-H Canal P 60 V 55 A (Ta) 60 W (Tc) Montage en surface ATPAK

 

Caractéristiques:ATP114-TL-H

Catégorie FET simples, MOSFET
Fabricant onsemi
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss) 60V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 55A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhms à 28 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC à 10 V
Vg (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF à 20 V
Dissipation de puissance (maximale) 60W (TC)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur ATPAK
Paquet/caisse ATPAK (2 fils + onglet)
Numéro de produit de base ATP114

Ressources additionnelles

ATTRIBUT DESCRIPTION
Autres noms ATP114-TL-HOSDKR
  ATP114-TL-HOSTR
  ATP114-TL-H-ND
  ATP114-TL-HOSCT
Forfait Standard 3000

 

Image de données :https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf

 

Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

±