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Bâti extérieur SuperSOT™-6 de la rangée IC 25V 680mA 460mA 700mW de transistor MOSFET de puissance de FDC6321C

Lieu d'origine Les Etats-Unis
Nom de marque onsemi
Certification RoHS
Numéro de modèle FDC6321C
Quantité de commande min 3000pcs
Prix Negotiable
Détails d'emballage 3000PCS/Tape
Délai de livraison 2 ou 3 jours
Conditions de paiement L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement 30K PCS

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Détails sur le produit
Fabricant onsemi Catégorie Le FET, transistor MOSFET range
Nombre de produit FDC6321C Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Configuration N et P-canal Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 25V Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 680mA, 460mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 450 mOhms à 500 mA, 4,5 V Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 2.3nC @ 5V Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 50pF @ 10V
Puissance - maximum 700mW Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur Paquet/cas SOT-23-6 Mince, TSOT-23-6
Paquet de dispositif de fournisseur SuperSOT™-6
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Puissance Mosfet Array Ics 25V 680mA FDC6321C

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Puissance Mosfet Array Ics 25V FDC6321C

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Description de produit

FDC6321C Matrice Mosfet 25V 680mA, 460mA 700mW Montage en surface SuperSOT™-6

 

Fiche de données:FDC6321C

Catégorie Matrices FET, MOSFET
Fabricant onsemi
État du produit Actif
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Configuration Canal N et P
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain à source (Vdss) 25V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 680mA, 460mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhms à 500 mA, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2,3 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Puissance - Max 700mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Paquet/caisse SOT-23-6 Mince, TSOT-23-6
Ensemble d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
Numéro de produit de base FDC6321

Ressources additionnelles

ATTRIBUT DESCRIPTION
Autres noms FDC6321CTR
  FDC6321CCT
  FDC6321C-ND
  FDC6321CDKR
Forfait Standard 3000

 

Image de données :https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fdc6321c-d.pdf
Bâti extérieur SuperSOT™-6 de la rangée IC 25V 680mA 460mA 700mW de transistor MOSFET de puissance de FDC6321C 0