Tous les produits
-
Monsieur PatrickRéponse rapide et compréhension complète des besoins des clients, bonne attitude de service, nous sommes d'accord avec votre service. -
M. HarrisonUne attitude de service sérieuse, ainsi que des produits de haute qualité méritent la confiance de tous.
-
AnnaC'est un achat parfait. La capacité de votre société d'offrir des prix concurrentiels et des produits de qualité est très impressionnante.
Personne à contacter :
will
Numéro de téléphone :
13418952874
Comité technique DirectFET de C.A. 96W du N-canal 40V 217 de transistor de diode de résistance d'IRF7480MTRPBF isométrique JE
| Lieu d'origine | Les Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | Infineon Technologies |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | IRF7480MTRPBF |
| Quantité de commande min | 4800 PCS |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 4800PCS/Tube |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 45K PCS |
Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.
xDétails sur le produit
| Catégorie | FETs simples, transistors MOSFET | Mfr | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Série | HEXFET®, StrongIRFET™ | Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | Vidangez à la tension de source (Vdss) | 40 V |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 217A (comité technique) | Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 1.2mOhm @ 132A, 10V | Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3.9V @ 150µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 185 OR @ 10 V | Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 6680 PF @ 25 V | Dissipation de puissance (maximum) | 96W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | DirectFET™ isométrique JE | ||
| Surligner | 40V 217A C 96W Tc DirectFET Isometrics IRF7480MTRPBF,40V C 96W Tc DirectFET Isometrics IRF7480MTRPBF,IRF7480MTRPBF 40V C 96W Tc DirectFET Isometrics |
||
Description de produit
IRF7480MTRPBF Canal N 40 V 217 A (Tc) 96 W (Tc) Montage en surface DirectFET™ Isométrique ME
Caractéristiques:
| Catégorie | FET simples, MOSFET |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Type FET | Canal N |
| Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
| Tension drain à source (Vdss) | 40V |
| Courant - Vidange continue (Id) à 25ﾂｰC | 217A (TC) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1,2 mOhms à 132 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 150µUN |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC à 10 V |
| Vg (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6680 pF à 25 V |
| Dissipation de puissance (maximale) | 96W (TC) |
| Température de fonctionnement | -55°C~ 150°C(TJ) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | DirectFET isométrique ME |
| Numéro de produit de base | IRF7480 |
Ressources additionnelles
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Autres noms | IRF7480MTRPBFCT |
| IRF7480MTRPBF-ND | |
| IRF7480MTRPBFTR | |
| SP001566252 | |
| IRF7480MTRPBFKR | |
| Forfait Standard | 4800 |
Image de données :https://www.infineon.com/dgdl/irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
|
±
|
produits recommandés