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Trou PG-TO247-4-1 de comité technique Hrough du comité technique 115W de la diode 1200 V 26A de transistor MOSFET de la Manche d'IMZ120R090M1H INFINEON N
| Lieu d'origine | Les Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | Infineon Technologies |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | IMZ120R090M1H |
| Quantité de commande min | 30 PCS |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 30 PCS/Tube |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 18K PCS |
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xDétails sur le produit
| Catégorie | FETs simples, transistors MOSFET | Mfr | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Série | CoolSiC | Statut de produit | Actif |
| Type de FET | N-canal | Technologie | SiCFET (carbure de silicium) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 1200V | Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 26A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V | Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5.7V @ 3.7mA | Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 21 OR @ 18 V |
| Vgs (maximum) | +23V, -7V | Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 707 PF @ 800 V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 115W (comité technique) | Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou | Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO247-4-1 |
| Paquet/cas | TO-247-4 | ||
| Surligner | diode de transistor MOSFET de canal de n,IMZ120R090M1H INFINEON,diode par le trou |
||
Description de produit
N-canal 1200 V 26A (comité technique) 115W (comité technique) d'IMZ120R090M1H par le trou PG-TO247-4-1
Caractéristiques : IMZ120R090M1H
| Catégorie | FETs simples, transistors MOSFET |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Série | CoolSiC |
| Paquet | Tube |
| Statut de produit | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | SiCFET (carbure de silicium) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 1200 V |
| Actuel -°C 25 continu du drain (identification) @ | 26A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5.7V @ 3.7mA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 21 OR @ 18 V |
| Vgs (maximum) | +23V, -7V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 707 PF @ 800 V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 115W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C |°C 175 (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO247-4-1 |
| Paquet/cas | TO-247-4 |
| Nombre bas de produit | IMZ120 |
Ressources additionnelles
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| D'autres noms | 448-IMZ120R090M1HXKSA1 |
| IMZ120R090M1HXKSA1-ND | |
| SP001946182 | |
| Forfait standard | 30 |
Image de données : https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IMZ120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fda8396690
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