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Produits semiconducteurs discrets IGBT TNP 600V 6 de FGD3N60UNDF 60W un bâti extérieur TO-252AA
| Lieu d'origine | Les Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | FGD3N60UNDF |
| Quantité de commande min | 2500pcs |
| Prix | Negotiable |
| Détails d'emballage | 2500PCS/Tape |
| Délai de livraison | 2 ou 3 jours |
| Conditions de paiement | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 2.5K PCS |
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xDétails sur le produit
| Fabricant | onsemi | Catégorie | IGBTs simple |
|---|---|---|---|
| Nombre de produit | FGD3N60UNDF | Type d'IGBT | TNP |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600 V | Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 6A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 9A | Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.52V @ 15V, 3A |
| Puissance - maximum | 60W | Énergie de changement | 52µJ (dessus), 30µJ () |
| Type d'entrée | Norme | Charge de porte | 1,6 OR |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 5.5ns/22ns | Condition d'essai | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 21 NS | Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur | Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252AA | ||
| Surligner | FGD3N60UNDF,Produits semiconducteurs discrets,Diode et transistor |
||
Description de produit
Bâti extérieur TO-252AA de FGD3N60UNDF IGBT TNP 600 V 6 A 60 W
Fiche technique : FGD3N60UNDF
| Catégorie | IGBTs simple |
| Mfr | onsemi |
| Statut de produit | Obsolète |
| Type d'IGBT | TNP |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600 V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 6 A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 9 A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.52V @ 15V, 3A |
| Puissance - maximum | 60 W |
| Énergie de changement | µJ 52(dessus),30µJ() |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 1,6 OR |
| °C 25 du TD ("Marche/Arrêt") @ | 5.5ns/22ns |
| Condition d'essai | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 21 NS |
| Température de fonctionnement | -55°C |°C 150 (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252AA |
| Nombre bas de produit | FGD3N60 |
Ressources additionnelles
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| D'autres noms | FGD3N60UNDFCT |
| FGD3N60UNDFTR | |
| FGD3N60UNDFDKR | |
| Forfait standard | 2500 |
Image de données : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgd3n60undf-d.pdf
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