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FOSSÉ composant 100V de l'électronique de transistor de diode de semi-conducteur d'IPB0401NM5S

Lieu d'origine Infineon Technologies
Nom de marque INFINEON
Certification RoHS
Numéro de modèle IPB0401NM5S
Quantité de commande min 1000 PCs
Prix Negotiable
Détails d'emballage 1000 PCS/Tape
Délai de livraison 2 ou 3 jours
Conditions de paiement L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement 20K PCS

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Détails sur le produit
Nombre de produit IPB0401NM5S Fabricant Infineon Technologies
Catégorie FETs simples, transistors MOSFET Température de fonctionnement minimum -30C
Température de fonctionnement maximum 125C Tension d'alimentation minimum 3.5V
Tension d'alimentation maximum 8V Longueur 1,3 millimètres
Largeur 4,8 millimètres taille 1.7mm
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Semi-conducteurs TRENCH 100V IPB0401NM5S

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100V Semiconducteurs TRENCH IPB0401NM5S

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IPB0401NM5S 100V Semiconducteurs TRENCH

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Description de produit

IPB0401NM5S TRANCHÉE >=100V

 

Attributs du produit :

Marque INFINEON/ Infineon
Modèle IPB0401NM5S
RoHS Ouais
Catégorie de produit Composants electroniques
Température de fonctionnement minimale -30C
Température de fonctionnement maximale 125C
Tension d'alimentation minimale 3.5V
Tension d'alimentation maximale 8V
Longueur 1,3 mm
Largeur 4,8 mm
Hauteur 1,7 mm

 

Image de données :

FOSSÉ composant 100V de l'électronique de transistor de diode de semi-conducteur d'IPB0401NM5S 0